已申请PCT核心专利6项;可在减少一道工艺的情况下,
提高产品30%发光效率。
器件效率达到80cd/A;NTSC达到110%以上;
寿命LT95@16000nit>400h。
自主开发高速SerDes接口IP技术
如LVDS/MIPI DPHY/MIPI CPHY等